PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

• 作者: 张贺秋 李银丽 王兆阳 王志俊 胡礼中 赵宇 赵杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1879-1882
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|O472
• 字数: 2890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.12.020

摘要

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.