氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析

• 作者: 佟存柱 吴荣汉 彭红玲 牛智川 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 氧化孔 串联电阻
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1459-1463
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.033

摘要

含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩勤	中国科学院半导体研究所	24	164	7.0	12.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
3	吴荣汉	中国科学院半导体研究所	22	159	8.0	12.0
4	佟存柱	中国科学院半导体研究所	10	80	4.0	8.0
5	彭红玲	中国科学院半导体研究所	4	14	2.0	3.0