GaAs/Ga1-xAlxAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

• 作者: 周岳亮 周庆莉 王旭 赵嵩卿 金奎娟 韩鹏 马中水
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体异质结 光辐射 制冷
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4345-4349
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.069

摘要

采用数值计算方法分析了GaAs/Ga1-xAlxAs 半导体量子阱的光辐射-热离子制冷. 以漂移-扩散模型为基础,通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的条件下半导体内部的载流子分布情况,并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复合,从而确定了半导体异质结量子阱光辐射-热离子制冷的最优条件.进一步分析了不同Al组分的Ga1-xAlxAs材料以及不同的掺杂浓度对制冷效果的影响,为该领域的实验工作提供了极有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王旭	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	96	1243	18.0	33.0
2	韩鹏	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	23	174	7.0	12.0
3	周岳亮	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	24	142	6.0	11.0
4	金奎娟	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	8	17	3.0	3.0
5	赵嵩卿	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	2	6	2.0	2.0
6	周庆莉	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	1	4	1.0	1.0
7	马中水		1	4	1.0	1.0