分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

• 作者: 倪海桥 吴荣汉 张纬 徐应强 徐晓华 江德生 牛智川 贺正宏 韩勤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 量子阱 二型发光
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2950-2954
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.087

摘要

报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.