低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

• 作者: 刘力锋 刘志凯 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低能离子束 硅 锰 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 94-97
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.025

摘要

采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	14	46	4.0	6.0
3	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
7	刘力锋	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	0	0.0	0.0
8	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	17	35	3.0	5.0