MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究

• 作者: 冉军学 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD Mg掺杂 退火 p-GaN DCXRD PL谱
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 494-497
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.013

摘要

用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所	251	4235	35.0	54.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
3	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
4	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
7	冉军学	中国科学院半导体研究所	7	32	3.0	5.0