漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究

• 作者: 孙伟锋 孙智林 时龙兴 陆生礼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 纵向线性浓度分布 击穿电压 LDMOS
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2286-2289
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.005

摘要

随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOI LDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而这种杂质浓度线性分布的漂移区可以通过热扩散得到.采用这种方法制得的SOI LDMOS的纵向击穿电压提高了43%,导通电阻降低了24%,这是因为它的表面浓度更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	时龙兴	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	61	457	11.0	18.0
3	孙智林	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	7	53	4.0	7.0
4	陆生礼	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	54	449	12.0	18.0