Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

• 作者: 卢建政 张利春 金海岩 高玉芝 黄伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ni(Zr)Si 热稳定性 X射线衍射 Raman光谱 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1197-1202
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 4139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.026

摘要

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张利春	北京大学微电子学研究院	18	48	4.0	5.0
2	黄伟	北京大学微电子学研究院	36	105	6.0	8.0
3	高玉芝	北京大学微电子学研究院	12	38	4.0	5.0
4	金海岩	北京大学微电子学研究院	12	32	4.0	5.0
5	卢建政	北京大学微电子学研究院	2	4	1.0	2.0