GaAs/AlGaAs量子级联激光器

• 作者: 刘俊岐 刘峰奇 王占国 路秀真 郭瑜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子级联激光器 分子束外延 有源区 注入区
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 624-626
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.038

摘要

利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰奇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	25	171	8.0	12.0
2	刘俊岐	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	12	35	4.0	5.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
4	路秀真	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	3	8	2.0	2.0
5	郭瑜	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	3	8	2.0	2.0