非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

• 作者: 刁宏伟 夏朝凤 孔光临 廖显伯 曾湘波 胡志华 许玲 郝会颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅 太阳电池 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2302-2306
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.061

摘要

运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏朝凤	云南师范大学能源与环境科学学院	60	815	15.0	27.0
2	胡志华	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0
4	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0
5	许玲	云南师范大学能源与环境科学学院	25	149	6.0	11.0
8	刁宏伟	中国科学院半导体研究所	16	222	8.0	14.0
9	曾湘波	中国科学院半导体研究所	6	81	5.0	6.0
10	郝会颖	中国科学院半导体研究所	2	50	2.0	2.0
11	孔光临	中国科学院半导体研究所	7	70	4.0	7.0