巨磁电阻材料La0.9Sr0.1 MnO3与半导体Si组成的二极管的整流特性

• 作者: 刘丽峰 吕惠宾 戴守愚 陈正豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p-n结 杂锰氧化物 硅 巨磁电阻
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2342-2345
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.069

摘要

掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上,构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明,这种p-n结的结电阻对低磁场敏感,在3×10-2T的磁场下,磁电阻可达70%.磁电阻的正负依赖于温度.磁电阻的大小可通过加在p-n结上的电压调节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕惠宾	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	21	125	7.0	10.0
2	陈正豪	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	22	163	9.0	12.0
3	刘丽峰	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	12	81	5.0	9.0
4	戴守愚	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	6	39	4.0	6.0