改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性

• 作者: 于芳 刘忠立 李宁 高见头
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相外延 改性 SOS薄硅膜 CMOS器件
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1406-1411
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.023

摘要

利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院半导体研究所	304	5119	38.0	59.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
3	于芳	中国科学院半导体研究所	28	112	6.0	9.0
4	高见头	中国科学院半导体研究所	4	16	1.0	4.0