高压RESURF LDMOS开态击穿模型

• 作者: 张波 方健 易坤 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 安全工作区 击穿电压
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 436-442
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 字数: 2868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.003

摘要

建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF LDMOS的电学SOA.数值模拟和实验结果部分验证了模型的正确性.该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程,可用于指导高压LDMOS的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	易坤	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	21	2.0	2.0