InP/GaAs低温键合的新方法

• 作者: 何国荣 吴孙桃 周海文 谢生 陈松岩
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低温键合 磷化铟 砷化镓 I-V特性 键合强度
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 416-418
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.03.031

摘要

通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
2	吴孙桃	厦门大学物理系	31	484	11.0	21.0
3	周海文	厦门大学物理系	5	21	3.0	4.0
4	谢生	厦门大学物理系	9	62	6.0	7.0
5	何国荣	厦门大学物理系	11	74	6.0	8.0