高介电常数栅极电介质材料的研究进展

• 作者: 吴健 张化福 祁康成
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 高介电常数 栅介质 等效氧化物厚度 退火
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 37-39,51
• 页数: 4页
• 字数: 5412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.03.011

摘要

随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的MOSFET的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小.然而,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO2将失去介电性能,致使器件无法正常工作.因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它.目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一.主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	吴健	电子科技大学光电信息学院	79	785	16.0	23.0
3	张化福	电子科技大学光电信息学院	3	70	3.0	3.0