0.18μm CMOS 20Gb/s 1:2分接器设计

• 作者: 丁敬峰 熊明珍 王志功 王欢 王贵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分接器 锁存器 CMOS 高速电路
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1881-1885
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.004

摘要

使用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了1:2分接器.核心电路单元采用一种新的高速、低电压锁存器结构实现.与传统的源极耦合场效应管逻辑结构的锁存器相比,其电源电压更低且速度更快.此外,为了拓展带宽,在缓冲放大电路中采用了负反馈.测试结果表明芯片可以工作于20Gb/s数据速率下.电源电压为1.8V时,包括缓冲电路在内整个芯片的工作电流为72mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	王欢	东南大学射频与光电集成电路研究所	26	75	6.0	7.0
3	熊明珍	东南大学射频与光电集成电路研究所	40	321	10.0	15.0
4	王贵	东南大学射频与光电集成电路研究所	8	34	4.0	5.0
5	丁敬峰	东南大学射频与光电集成电路研究所	6	22	4.0	4.0