(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲锌镉 位错 腐蚀坑密度
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1773-1777
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.018

摘要

通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内,这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错.进一步分析的结果表明,不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错,甚至也可能起源于微沉淀物,通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的.