标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

• 作者: 李强 王俊宇 闵昊 韩益锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 肖特基二极管 集成
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 238-242
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 1867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.004

摘要

提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I-V,C-V和S参数,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压.最后给出了可用于SPICE仿真的模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	李强	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	76	362	9.0	15.0
3	韩益锋	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	6	89	5.0	6.0
4	王俊宇	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	26	352	10.0	18.0