CMOS集成频率综合器的稳定性补偿

• 作者: 何捷 唐长文 洪志良 闵昊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 频率综合器 闭环三阶s域 环路参数 PVT变化 稳定性 变化裕量
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1524-1531
• 页数: 8页
• 分类号: TN4
• 字数: 1029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.009

摘要

通过分析频率综合器的完整三阶闭环s域模型,同时采用根轨迹分析技术,定量分析了工艺、电压和温度引起的环路参数变化对频率综合器稳定性的影响,并提出变化裕量的概念来进行稳定性分析和参数设计.为了获得更加稳定的系统,在电荷泵中设计了结构简单的电流单元用于补偿额外的参数变化,并采用线性压控增益的VCO来减小参数的变化.最后设计了一个分辨率为250kHz,频率范围为1～1.05GHz的集成频率综合器来验证上述的分析和设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪志良	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	161	1248	18.0	29.0
2	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
3	唐长文	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	330	11.0	16.0
4	何捷	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	15	340	7.0	15.0