反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

• 作者: 小川博司 曹俊诚 沈文忠 贺莉蓉 郭其新 顾春明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4938-4943
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.10.083

摘要

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0.25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹俊诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	39	485	10.0	21.0
2	顾春明	上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室	7	58	3.0	7.0
3	贺莉蓉	上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室	9	83	4.0	9.0
4	沈文忠	上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室	35	210	7.0	13.0