CdZnTe晶片表面钝化研究

• 作者: 介万奇 周安宁 李焕勇 汪晓芹
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 表面漏电流 钝化 TeO2
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 856-858
• 页数: 3页
• 分类号: TL816
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.06.016

摘要

用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征.I-V测试结果表明NH4F/H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降.在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73.7%.与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V/cm.XPS分析发现,用NH4F/H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te 79.28%被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3.15nm.钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	周安宁	西安科技大学化学与化工系	220	2025	21.0	35.0
3	李焕勇	西北工业大学材料科学与工程学院	34	199	6.0	13.0
4	汪晓芹	西北工业大学材料科学与工程学院	30	307	8.0	17.0