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摘要:
采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.
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文献信息
篇名 TiO2薄膜制备及其氧敏特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 磁控溅射 TiO2薄膜 氧敏特性 激活能
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 324-328
页数 5页 分类号 TN03
字数 2311字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙以材 河北工业大学微电子研究所 117 1247 18.0 31.0
2 潘国峰 河北工业大学微电子研究所 70 462 10.0 18.0
3 戴振清 河北工业大学微电子研究所 9 21 2.0 4.0
7 孟凡斌 河北工业大学微电子研究所 32 328 10.0 17.0
8 李国玉 河北工业大学微电子研究所 4 170 4.0 4.0
传播情况
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TiO2薄膜
氧敏特性
激活能
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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