半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响

• 作者: 付生辉 刘彩池 徐岳生 王海云 郝景臣 魏欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LEC SI-GaAs 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 72-77
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.015

摘要

研究了LEC 法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响.用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD:103～104cm-2量级),用KOH腐蚀液显示位错(EPD:104cm-2量级),发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响.随着AB-EPD的增大,跨导、饱和漏电流变小,夹断电压的绝对值也变小.利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底质量进行了测量,结果表明衬底参数好的样品,PL参数好,相应器件的参数也好,从而有可能制作出良好的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池		63	305	11.0	14.0
2	徐岳生		21	163	7.0	12.0
3	王海云		16	86	5.0	8.0
4	魏欣		6	18	2.0	4.0
5	付生辉		2	3	1.0	1.0