不同晶化工艺对非晶PZT纳米薄膜形核取向生长机理的影响

• 作者: 张鹰 曾慧中 李言荣 蒋书文 魏贤华 黄文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PZT薄膜 结晶 形核 力显微技术
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1334-1340
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.058

摘要

射频磁控溅射法室温下在Pt/Ti/SiO2/Si上制备非晶Pb(Zr0.48Ti0.52)O3薄膜,非晶PZT薄膜分别经常规炉退火(CFA)处理和快速热退火(RTA)处理晶化为(100),(111)不同择优取向的多晶薄膜.采用x射线衍射测定了薄膜相组分、择优取向度;用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了薄膜表面形貌,以及对应区域由自发极化形成的铁电畴像,观察了不同取向薄膜的电畴分布特征.结果表明,RTA晶化过程钙钛矿结构PZT结晶主要以PZT/Pt界面处的PtPb化合物为成核点异质形核并类似外延的结晶生长,沿界面结晶速率远大于垂直膜面结晶速率,而CFA晶化样品成核发生在膜内杂质缺陷处,以同质成核为主.不同的成核机理导致了不同晶面择优取向生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏贤华	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	57	5.0	7.0
2	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
3	黄文	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	128	6.0	11.0
4	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
5	蒋书文	电子科技大学微电子与固体电子学院	30	197	7.0	12.0
6	曾慧中	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	50	4.0	6.0