基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作

• 作者: 丁建宁 熊斌 王文襄 王权
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高温压力传感器 SIMOX 低压化学气相淀积 电感耦合等离子体深刻蚀
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1595-1598
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.023

摘要

针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体(ICP)深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片,将其封装后,研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器.封装工艺进一步改善后,该芯片工作温区有望拓宽到300～350℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊斌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	54	412	11.0	16.0
2	丁建宁	江苏大学微纳米科学技术研究中心	146	769	14.0	19.0
3	王权	江苏大学微纳米科学技术研究中心	31	183	8.0	11.0
4	王文襄		8	54	5.0	7.0