热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响

• 作者: 张万里 张文旭 张永强 彭斌 杨国宁 蒋洪川
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁弹性 应力阻抗效应 FeCoSiB FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 磁场热处理
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 516-518
• 页数: 3页
• 分类号: TM271
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.04.010

摘要

采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应.薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A型阻抗分析仪在200kHz～10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应.结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应.在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低.与FeCoSiB单层膜相比,FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应较大.10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%.当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
4	张文旭	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	302	9.0	16.0
5	张永强	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	50	4.0	4.0
6	杨国宁	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	46	3.0	6.0