MgS晶体结构性质的密度泛函研究

• 作者: 祖小涛 肖海燕 陈中钧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgS 第一性原理赝势平面波方法 电子结构 转化压力
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5301-5307
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.055

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖小涛	电子科技大学应用物理系	111	627	12.0	17.0
3	陈中钧	电子科技大学应用物理系	9	71	4.0	8.0
4	肖海燕	电子科技大学应用物理系	6	21	3.0	4.0