电致发光谱测量β-FeSi2-Si异质结载流子限制

• 作者: 末益崇 李成 长谷川文夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2-Si异质结 电致发光 带阶 载流子限制
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 230-233
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.002

摘要

设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Si p-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差.当二极管处于正向偏置时,通过Si n-p-结注入的电子扩散到β-FeSi2并由于Si与β-FeSi2之间的能隙差而受到限制,电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散,将电子局域化在靠近Si n-p-结的p--Si区.少子的局域化减少了非辐射复合的途径,Si和β-FeSi2的发光增强,淬灭速率变慢,在室温低电流下仍可得到Si和β-FeSi2电致发光.Si和β-FeSi2发光强度的比率对温度的依存性表明同型异质结对电子限制能力的减弱符合热发射模型,由此确定出Si和β-FeSi2异质结导带带阶差为0.2eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	厦门大学物理系	45	140	7.0	11.0