癫痫儿童的认知功能及事件相关电位变化研究

• 作者: 唐可欣 王金光 赵建国
• 来源期刊: 中国康复理论与实践
• 学科: 医学
• 关键词: 癫痫 认知功能 事件相关电位 P300
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 临床研究
• 页码范围: 379-380
• 页数: 2页
• 分类号: R742.1
• 字数: 1193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9771.2005.05.027

摘要

目的探讨癫痫儿童的认知功能状况,观察其事件相关电位的变化.方法选择临床确诊的8～14岁癫痫患儿和相应年龄组正常儿童各45人,组成实验组和对照组,利用瑞文标准推理测验,分别对两组儿童进行认知功能测试,并分别测定其事件相关电位.结果癫痫儿童有智能缺陷者达33.3%,其B、E分量表得分显著低于正常对照组(P<0.05);事件相关电位P300潜伏期较对照组显著延长(P<0.01).结论癫痫可导致儿童智力受损,以抽象概念形成能力和类比能力受损最为明显.事件相关电位P300潜伏期的变化是评价儿童智能状况很好的客观指标.