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摘要:
提出了一种采用标准CMOS工艺制造的全CMOS电路结构温度传感器的理论及其电路设计.采用CSMC0.6μm的数模混合工艺仿真,结果表明该传感器在-40~125℃的温度范围内,温度灵敏度为-1.15μA/℃.芯片实测,温度灵敏度为-0.99μA/℃.5V供电时,静态功耗为1.5mW,芯片面积为0.025mm2.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统,在汽车电子、石油采集、生物医学等领域有着广阔的应用前景.
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文献信息
篇名 一种新型的CMOS温度传感器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 集成电路 温度传感器 温度系数
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2202-2207
页数 6页 分类号 TN47
字数 4059字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王鹏 清华大学微电子学研究所 156 2740 26.0 49.0
2 张洵 清华大学微电子学研究所 10 98 6.0 9.0
3 靳东明 清华大学微电子学研究所 25 183 7.0 12.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
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