硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质

• 作者: 张兴 程行之 许晓燕 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄栅介质 氮离子注入 击穿特性
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 266-270
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.009

摘要

利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N+注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子研究所	120	618	12.0	20.0
3	许晓燕	北京大学微电子研究所	6	6	1.0	1.0
4	程行之	北京大学微电子研究所	3	2	1.0	1.0