Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算

• 作者: 张富春 张志勇 王雪文 邓周虎 阎军锋
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO 密度泛函 电子结构 掺杂 光吸收边 Burstein-Moss移动
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1268-1272
• 页数: 5页
• 分类号: TN302|O646.54
• 字数: 3906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.08.039

摘要

根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	西北大学电子科学系	94	391	10.0	17.0
3	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
4	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
7	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
8	阎军锋	西北大学电子科学系	13	290	6.0	13.0