AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化

• 作者: 张春玲 徐波 李若园 王占国 郭霞 金鹏 陈敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 湿法氧化 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射器 Al2O3 界面
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1519-1523
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.008

摘要

对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
3	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
4	张春玲	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	12	189	5.0	12.0
5	金鹏	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	29	262	7.0	16.0
6	李若园	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	1	11	1.0	1.0