SOI波导弯曲损耗影响因素的分析

• 作者: 严清峰 余金中 陈媛媛 陈少武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 弯曲波导 弯曲损耗 集成光学
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 216-219
• 页数: 4页
• 分类号: TN252
• 字数: 2088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.056

摘要

采用有效折射率方法EIM(effectiveindex method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,改进波导结构,例如在弯曲波导外侧刻槽可以减小SOI脊形波导的弯曲损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈媛媛	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	22	263	8.0	16.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	39	387	9.0	19.0
4	严清峰	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	14	108	6.0	10.0