In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

• 作者: 方泽波 朋兴平 杨映虎 王印月
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应溅射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 711-715
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.015

摘要

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波	兰州大学物理科学与技术学院	7	112	5.0	7.0
2	朋兴平	兰州大学物理科学与技术学院	10	188	7.0	10.0
3	王印月	兰州大学物理科学与技术学院	39	567	15.0	23.0
4	杨映虎	兰州大学物理科学与技术学院	13	137	7.0	11.0