偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

• 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC化学气相沉积 外延生长
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.030

摘要

化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所	46	202	9.0	12.0
7	张永兴	中国科学院半导体研究所	4	21	3.0	4.0