薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs

• 作者: 张静 徐婉静 李竞春 杨谟华 谭静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 锗硅虚衬底 p型场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 881-885
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.007

摘要

成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
3	谭静	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	13	2.0	3.0
4	徐婉静		3	14	3.0	3.0
5	张静		12	42	4.0	6.0