一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

• 作者: 刘桂云 张义门 张玉明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs MESFET 寄生参数 提取参数
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 760-763
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.025

摘要

提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280μm商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	刘桂云	西安电子科技大学微电子所	1	6	1.0	1.0