FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

• 作者: 徐学文 李养贤 李永章 李洪涛 杨帅 牛胜利 牛萍娟 马巧云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快中子辐照 辐照缺陷 直拉硅 VO2 A中心
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2256-2260
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.053

摘要

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm-1和1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1,出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信学院	123	617	13.0	17.0
2	李养贤	河北工业大学材料科学与工程学院	51	362	12.0	17.0
3	徐学文	河北工业大学材料科学与工程学院	5	15	2.0	3.0
4	杨帅	河北工业大学材料科学与工程学院	7	25	3.0	4.0
5	马巧云	河北工业大学材料科学与工程学院	6	19	3.0	4.0
6	李永章		3	9	2.0	3.0
7	牛胜利		2	5	2.0	2.0
8	李洪涛		4	13	2.0	3.0