磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析

• 作者: 沈自才 王英剑 范正修 邵建达
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 渐变折射率 磁控反应溅射 模型
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 4842-4845
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.10.065

摘要

阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射率与反应气体分压的关系,在一定的沉积参数下,由要得到的膜层折射率随膜层几何厚度的变化规律可推导出反应气体分压比随时间的变化规律;最后以制备折射率线性变化的薄膜为例说明了如何推导得到反应气体分压比随时间的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	王英剑	中国科学院上海光学精密机械研究所	21	254	11.0	15.0
4	沈自才	中国科学院上海光学精密机械研究所	15	140	8.0	11.0