(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

• 作者: 卢励吾 张春熹 李国华 王天民 韦文生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: (p)nc-Si:H薄膜 (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结 变容二极管
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 745-750
• 页数: 6页
• 分类号: O475
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.022

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春熹	北京航空航天大学光电技术研究所	298	2497	25.0	33.0
2	王天民	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	140	1545	22.0	32.0
3	李国华	中国科学院半导体研究所	25	99	5.0	9.0
4	韦文生	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	12	50	4.0	6.0
8	卢励吾	中国科学院半导体研究所	5	5	2.0	2.0