SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性

• 作者: 刘忠立 张国强 张恩霞 张正选 李国花 李宁 王曦 郑中山 马红芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX 埋氧 辐射硬度 注氮
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 862-866
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.003

摘要

为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015和3×1015cm-2剂量的氮.实验结果表明,在使用Co-60源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104 rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015cm-2剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C-V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal-silicon-BOX-silicon)结构的异常高频C-V曲线,并对其进行了解释.