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InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱
InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱
作者:
吕国伟
唐英杰
张国义
李卫华
杜为民
黎子兰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaN量子阱
拉曼光谱
光荧光谱
快速热退火
摘要:
通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN/GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响. 观测到退火后InGaN/GaN量子阱的拉曼光谱E2, A1(LO)模式的峰位置出现了红移, 而且该振动峰的半高宽也有微小变化. 温度升高退火效果更明显. 退火使量子阱内应力部分消除, 同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化. 在常温和低温下的光荧光谱表明, 退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移; 而且低温退火出现红移, 退火温度升高相对低温退火出现蓝移; 同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了. 讨论了退火对多量子阱光学性质的影响.
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱
来源期刊
光谱学与光谱分析
学科
化学
关键词
InGaN量子阱
拉曼光谱
光荧光谱
快速热退火
年,卷(期)
2005,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
39-43
页数
5页
分类号
O657
字数
3663字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-0593.2005.01.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杜为民
北京大学物理学院
17
134
6.0
11.0
2
吕国伟
北京大学物理学院
4
102
4.0
4.0
3
唐英杰
北京大学物理学院
3
49
3.0
3.0
4
李卫华
北京大学物理学院
9
123
5.0
9.0
5
黎子兰
北京大学物理学院
1
4
1.0
1.0
6
张国义
北京大学物理学院
49
229
9.0
13.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(2)
节点文献
引证文献
(4)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1999(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
InGaN量子阱
拉曼光谱
光荧光谱
快速热退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光谱学与光谱分析
主办单位:
中国光学学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-0593
CN:
11-2200/O4
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区学院南路76号钢铁研究总院
邮发代号:
82-68
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
13956
总下载数(次)
19
总被引数(次)
127726
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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