亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

• 作者: J. M. Hvam 姚江宏 孙亮 徐章程 王占国 许京军 贾国治
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 亚单层 量子点-量子阱 时间分辨光致发光谱
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5367-5371
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.066

摘要

测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为35ps,纵光学声子发射为主要的载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.