VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究

• 作者: 孙建 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 衬底温度
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 920-922
• 页数: 3页
• 分类号: TK514
• 字数: 2027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.05.032

摘要

采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF-PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极.