TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质

• 作者: 曾永志 黄美纯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 过渡金属 双交换作用 铁磁状态
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1749-1755
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.051

摘要

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理系	35	129	7.0	8.0
2	曾永志	厦门大学物理系	9	28	3.0	5.0