考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

• 作者: 应纯同 王德武 谢国锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AVLIS PIC-MCC 离子引出 溅射
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 2147-2152
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.033

摘要

采用PIC-MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程,重点研究离子在收集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率.模拟结果表明,RF共振法与平行板静电场法相比,引出时间较短,碰撞损失和溅射损失较低,收集率较高;增加引出电压,可以缩短引出时间,降低碰撞损失,但是增加了溅射损失,使得收集率降低;增大磁场强度,使碰撞损失降低,溅射损失增加,收集率降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	应纯同	清华大学工程物理系	47	197	8.0	11.0
2	谢国锋	清华大学工程物理系	9	38	4.0	6.0
3	王德武	清华大学工程物理系	36	126	6.0	8.0