闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理

• 作者: 刘红侠 郑雪峰 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪速存储器 应力诱生漏电流 电容耦合效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5867-5871
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.062

摘要

通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因.分别计算了高场应力和低场应力两种情况下SILC中的稳态电流和瞬态电流的大小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	郑雪峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	39	4.0	6.0