用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究

• 作者: 余云鹏 余楚迎 林揆训 林璇英 祝祖送 邱桂明 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 稳恒光电导效应 晶界 光致衰退效应
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3805-3809
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.059

摘要

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	黄锐	汕头大学物理系	9	73	5.0	8.0
4	邱桂明	汕头大学物理系	23	135	7.0	11.0
5	祝祖送	汕头大学物理系	5	18	3.0	4.0
6	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
7	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0