掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究

• 作者: 俞笑竹 叶超 宁兆元 王婷婷
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低介电常数 SiCOH薄膜 碳氢掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5417-5421
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.075

摘要

以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si-C键以及-OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	70	528	12.0	18.0
2	叶超	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	33	244	10.0	14.0
3	王婷婷	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	26	109	7.0	9.0
4	俞笑竹	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	4	20	3.0	4.0